FDS8960C
工場モデル | FDS8960C |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC |
パッケージ | 8-SOIC |
株式 | 4840 pcs |
データシート | Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018Mult Devices EOL 126/Jul/2018onsemi RoHSFDS8960C |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
シリーズ | PowerTrench® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 24mOhm @ 7A, 10V |
電力 - 最大 | 900mW |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 570pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 7.7nC @ 5V |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 35V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 7A, 5A |
コンフィギュレーション | N and P-Channel |
基本製品番号 | FDS89 |
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