GAN190-650EBEZ
工場モデル | GAN190-650EBEZ |
---|---|
メーカー | Nexperia USA Inc. |
詳細な説明 | 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE |
パッケージ | DFN8080-8 |
株式 | 34334 pcs |
データシート | GAN190-650EBE |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$2.043 | $1.836 | $1.505 | $1.281 | $1.08 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNexperia USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。34334のNexperia USA Inc. GAN190-650EBEZの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 12.2mA |
Vgs(最大) | +7V, -1.4V |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
サプライヤデバイスパッケージ | DFN8080-8 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 190mOhm @ 3.9A, 6V |
電力消費(最大) | 125W (Ta) |
パッケージ/ケース | 8-VDFN Exposed Pad |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount, Wettable Flank |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 96 pF @ 400 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 2.8 nC @ 6 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 11.5A (Ta) |
基本製品番号 | GAN190 |
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