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Nexperia USA Inc.

GAN080-650EBEZ

工場モデル GAN080-650EBEZ
メーカー Nexperia USA Inc.
詳細な説明 650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
パッケージ DFN8080-8
株式 17631 pcs
データシート GAN080-650EBE
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$3.307 $2.987 $2.473 $2.154 $1.876
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNexperia USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。17631のNexperia USA Inc. GAN080-650EBEZの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 30.7mA
Vgs（最大） +7V, -6V
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤデバイスパッケージ DFN8080-8
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 80mOhm @ 8A, 6V
電力消費（最大） 240W (Ta)
パッケージ/ケース 8-VDFN Exposed Pad
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount, Wettable Flank
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 225 pF @ 400 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 6.2 nC @ 6 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 29A (Ta)
基本製品番号 GAN080

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データシート

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