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Nexperia USA Inc.

GAN063-650WSAQ

工場モデル GAN063-650WSAQ
メーカー Nexperia USA Inc.
詳細な説明 GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
パッケージ TO-247-3
株式 7632 pcs
データシート All Dev Label Chgs 2/Aug/2020Mult Dev Wafer Test Chgs 4/Feb/2022GAN063-650WSAQCircuit Design& PCB GaN FETProbing Considered for Fast SwitchingUnderstanding Power GaN FET
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500
$8.534 $7.869 $6.72 $6.101
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNexperia USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。7632のNexperia USA Inc. GAN063-650WSAQの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4.5V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
サプライヤデバイスパッケージ TO-247-3
シリーズ Automotive, AEC-Q101
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 60mOhm @ 25A, 10V
電力消費（最大） 143W (Ta)
パッケージ/ケース TO-247-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1000 pF @ 400 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 15 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 34.5A (Ta)
基本製品番号 GAN063

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データシート

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