MSCSM120TLM50C3AG
工場モデル | MSCSM120TLM50C3AG |
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メーカー | Microchip Technology |
詳細な説明 | PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F |
パッケージ | SP3F |
株式 | 593 pcs |
データシート | Assembly Site 17/Jan/2023Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 |
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$64.64 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.7V @ 1mA |
技術 | Silicon Carbide (SiC) |
サプライヤデバイスパッケージ | SP3F |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 50mOhm @ 40A, 20V |
電力 - 最大 | 245W (Tc) |
パッケージ/ケース | Module |
パッケージ | Bulk |
運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Chassis Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1990pF @ 1000V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 137nC @ 20V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1200V (1.2kV) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 55A (Tc) |
コンフィギュレーション | 4 N-Channel (Three Level Inverter) |
基本製品番号 | MSCSM120 |
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