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Microchip Technology

MSCSM120HM16CTBL3NG

工場モデル MSCSM120HM16CTBL3NG
メーカー Microchip Technology
詳細な説明 PM-MOSFET-SIC-SBD-BL3
パッケージ Module
株式 4588 pcs
データシート Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSAssembly Site 16/Feb/2023
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのMicrochip Technologyシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4588のMicrochip Technology MSCSM120HM16CTBL3NGの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.8V @ 2mA
技術 Silicon Carbide (SiC)
サプライヤデバイスパッケージ -
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 16mOhm @ 80A, 20V
電力 - 最大 560W
パッケージ/ケース Module
パッケージ Bulk
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Chassis Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 6040pF @ 1000V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 464nC @ 20V
FET特長 -
ソース電圧（VDSS）にドレイン 1200V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 150A
コンフィギュレーション 4 N-Channel (Phase Leg)
基本製品番号 MSCSM120

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データシート

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