Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-アレイ > MSCSM120HM31TBL2NG
Microchip Technology

MSCSM120HM31TBL2NG

工場モデル MSCSM120HM31TBL2NG
メーカー Microchip Technology
詳細な説明 PM-MOSFET-SIC-BL2
パッケージ Module
株式 413 pcs
データシート Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSAssembly Site 16/Feb/2023MSCSM120HM31TBL2NG
提案された価格 （米ドルでの測定）
1
$100.862
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのMicrochip Technologyシリーズの電子コンポーネントを専門としています。413のMicrochip Technology MSCSM120HM31TBL2NGの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.8V @ 3mA
技術 Silicon Carbide (SiC)
サプライヤデバイスパッケージ -
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 31mOhm @ 40A, 20V
電力 - 最大 310W
パッケージ/ケース Module
パッケージ Bulk
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Chassis Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3020pF @ 1000V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 232nC @ 20V
FET特長 -
ソース電圧（VDSS）にドレイン 1200V (1.2kV)
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 79A
コンフィギュレーション 4 N-Channel (Full Bridge)
基本製品番号 MSCSM120

おすすめ商品

MSCSM120HM31TBL2NG データテーブルPDF

データシート

MSCSM120HM31TBL2NGに関連した語彙

MSCSM120HM31TBL2NG関連コンポーネント