CSD87312Q3E
工場モデル | CSD87312Q3E |
---|---|
メーカー | N/A |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON |
パッケージ | 8-VSON (3.3x3.3) |
株式 | 139038 pcs |
データシート | Pin One 07/May/2018Retraction of Parts 27/Aug/2018QFN 12mm Tape Width 18/Oct/2013 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.612 | $0.551 | $0.443 | $0.364 | $0.301 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.3V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-VSON (3.3x3.3) |
シリーズ | NexFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 33mOhm @ 7A , 8V |
電力 - 最大 | 2.5W |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1250pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 8.2nC @ 4.5V |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 27A |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
基本製品番号 | CSD87312Q3 |
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