CSD86330Q3D
工場モデル | CSD86330Q3D |
---|---|
メーカー | N/A |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON |
パッケージ | 8-LSON (3.3x3.3) |
株式 | 111427 pcs |
データシート | CSD86330Q3DQualification Revision A 01/Jul/2014MSL1 Bubble Bag Conversion 24/Sep/2013Qualification Revision 10/Mar/2014 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
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$0.842 | $0.757 | $0.609 | $0.5 | $0.414 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.1V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-LSON (3.3x3.3) |
シリーズ | NexFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 9.6mOhm @ 14A, 8V |
電力 - 最大 | 6W |
パッケージ/ケース | 8-PowerLDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 920pF @ 12.5V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 25V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) |
基本製品番号 | CSD86330Q3 |
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