CSD86311W1723
工場モデル | CSD86311W1723 |
---|---|
メーカー | N/A |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA |
パッケージ | 12-DSBGA |
株式 | 230779 pcs |
データシート | Mult Dev Marking Chgs 4/Apr/2023 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
3000 | 6000 | 15000 |
---|---|---|
$0.178 | $0.169 | $0.163 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.4V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 12-DSBGA |
シリーズ | NexFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 39mOhm @ 2A, 8V |
電力 - 最大 | 1.5W |
パッケージ/ケース | 12-UFBGA, DSBGA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 585pF @ 12.5V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4nC @ 4.5V |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 25V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.5A |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | CSD86311 |
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