IXTT100N25P
工場モデル | IXTT100N25P |
---|---|
メーカー | IXYS |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 250V 100A TO268 |
パッケージ | TO-268AA |
株式 | 14708 pcs |
データシート | IXT(K,Q,T)100N25P |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$5.024 | $4.617 | $3.899 | $3.469 | $3.182 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-268AA |
シリーズ | Polar |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 24mOhm @ 50A, 10V |
電力消費(最大) | 600W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 6300 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 185 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 250 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100A (Tc) |
基本製品番号 | IXTT100 |
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