IXTT10P50
工場モデル | IXTT10P50 |
---|---|
メーカー | IXYS |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 500V 10A TO268 |
パッケージ | TO-268AA |
株式 | 4048 pcs |
データシート | IXT(H,T)10P50/11P50 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-268AA |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 900mOhm @ 5A, 10V |
電力消費(最大) | 300W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
パッケージ | Box |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4700 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 160 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 500 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 10A (Tc) |
基本製品番号 | IXTT10 |
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