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IXYS

IXTQ90N15T

工場モデル IXTQ90N15T
メーカー IXYS
詳細な説明 MOSFET N-CH 150V 90A TO3P
パッケージ TO-3P
株式 4421 pcs
データシート Multiple Devices Material 23/Jun/2020IXT(A,H,P,Q)90N15T
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのIXYSシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4421のIXYS IXTQ90N15Tの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4.5V @ 1mA
Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-3P
シリーズ Trench
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 20mOhm @ 45A, 10V
電力消費(最大) 455W (Tc)
パッケージ/ケース TO-3P-3, SC-65-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 4100 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 80 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 150 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 90A (Tc)
基本製品番号 IXTQ90

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IXTQ90N15T データテーブルPDF

データシート