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IXYS

IXTQ64N25P

工場モデル IXTQ64N25P
メーカー IXYS
詳細な説明 MOSFET N-CH 250V 64A TO3P
パッケージ TO-3P
株式 16773 pcs
データシート IXT(Q,T)64N25PMultiple Devices Material 23/Jun/2020
提案された価格 (米ドルでの測定)
30
$2.246
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのIXYSシリーズの電子コンポーネントを専門としています。16773のIXYS IXTQ64N25Pの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-3P
シリーズ Polar
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 49mOhm @ 500mA, 10V
電力消費(最大) 400W (Tc)
パッケージ/ケース TO-3P-3, SC-65-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3450 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 105 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 250 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 64A (Tc)
基本製品番号 IXTQ64

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IXTQ64N25P データテーブルPDF

データシート