IXTQ102N20T
| 工場モデル | IXTQ102N20T |
|---|---|
| メーカー | IXYS |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 200V 102A TO3P |
| パッケージ | TO-3P |
| 株式 | 5078 pcs |
| データシート | Multiple Devices Material 23/Jun/2020 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 1mA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P |
| シリーズ | Trench |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 23mOhm @ 500mA, 10V |
| 電力消費（最大） | 750W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6800 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 114 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 102A (Tc) |
| 基本製品番号 | IXTQ102 |
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