IXTP80N12T2
工場モデル | IXTP80N12T2 |
---|---|
メーカー | IXYS |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB |
パッケージ | TO-220 |
株式 | 63623 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 |
---|---|---|---|---|---|---|
$1.172 | $1.053 | $0.863 | $0.735 | $0.62 | $0.589 | $0.566 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 100µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 |
シリーズ | TrenchT2™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 17mOhm @ 40A, 10V |
電力消費(最大) | 325W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4740 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 80 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 120 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 80A (Tc) |
基本製品番号 | IXTP80 |
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