IXTQ130N15T
工場モデル | IXTQ130N15T |
---|---|
メーカー | IXYS |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 150V 130A TO3P |
パッケージ | TO-3P |
株式 | 4866 pcs |
データシート | Multiple Devices Material 23/Jun/2020IXT(H,Q)130N15T |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P |
シリーズ | Trench |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 12mOhm @ 65A, 10V |
電力消費(最大) | 750W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 9800 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 113 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 150 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 130A (Tc) |
基本製品番号 | IXTQ130 |
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