IXTP6N50D2
工場モデル | IXTP6N50D2 |
---|---|
メーカー | IXYS |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB |
パッケージ | TO-220-3 |
株式 | 21886 pcs |
データシート | IXT(A,P,H)6N50D2 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$3.179 | $2.873 | $2.379 | $2.071 | $1.804 | $1.737 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | - |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 |
シリーズ | Depletion |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 500mOhm @ 3A, 0V |
電力消費(最大) | 300W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2800 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 96 nC @ 5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | Depletion Mode |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 500 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6A (Tc) |
基本製品番号 | IXTP6 |
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