IXTA1R4N120P
| 工場モデル | IXTA1R4N120P |
|---|---|
| メーカー | IXYS |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263 |
| パッケージ | TO-263AA |
| 株式 | 39558 pcs |
| データシート | IXT(Y,A,P)1R4N120P |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.083 | $1.869 | $1.531 | $1.304 | $1.1 | $1.045 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 100µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AA |
| シリーズ | Polar |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 13Ohm @ 500mA, 10V |
| 電力消費（最大） | 86W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 666 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 24.8 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.4A (Tc) |
| 基本製品番号 | IXTA1 |
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