IXTA18P10T
工場モデル | IXTA18P10T |
---|---|
メーカー | IXYS |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 100V 18A TO263 |
パッケージ | TO-263AA |
株式 | 37913 pcs |
データシート | IXT(Y,A,P)18P10T |
提案された価格 (米ドルでの測定)
50 |
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$0.933 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±15V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AA |
シリーズ | TrenchP™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 120mOhm @ 9A, 10V |
電力消費(最大) | 83W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2100 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 39 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 18A (Tc) |
基本製品番号 | IXTA18 |
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