Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IXTA1N170DHV
IXTA1N170DHV Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IXTA1N170DHV

工場モデル IXTA1N170DHV
メーカー IXYS
詳細な説明 MOSFET N-CH 1700V 1A TO263
パッケージ TO-263HV
株式 7891 pcs
データシート IXT(A,H)1N170DHV
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500
$7.116 $6.54 $5.524 $4.914
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのIXYSシリーズの電子コンポーネントを専門としています。7891のIXYS IXTA1N170DHVの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) -
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-263HV
シリーズ Depletion
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 16Ohm @ 500mA, 0V
電力消費(最大) 290W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3090 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 47 nC @ 5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 Depletion Mode
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 1700 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1A (Tc)
基本製品番号 IXTA1

おすすめ商品

IXTA1N170DHV データテーブルPDF

データシート