IXTA1N170DHV
工場モデル | IXTA1N170DHV |
---|---|
メーカー | IXYS |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 1700V 1A TO263 |
パッケージ | TO-263HV |
株式 | 7891 pcs |
データシート | IXT(A,H)1N170DHV |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$7.116 | $6.54 | $5.524 | $4.914 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | - |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263HV |
シリーズ | Depletion |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 16Ohm @ 500mA, 0V |
電力消費(最大) | 290W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3090 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 47 nC @ 5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | Depletion Mode |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1700 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1A (Tc) |
基本製品番号 | IXTA1 |
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