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IXYS

IXFN24N100

工場モデル IXFN24N100
メーカー IXYS
詳細な説明 MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
パッケージ SOT-227B
株式 2173 pcs
データシート Mult Devices OBS 24/Feb/2014IXFN24N100
提案された価格 (米ドルでの測定)
10
$16.657
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのIXYSシリーズの電子コンポーネントを専門としています。2173のIXYS IXFN24N100の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 5.5V @ 8mA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-227B
シリーズ HiPerFET™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 390mOhm @ 12A, 10V
電力消費(最大) 568W (Tc)
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Chassis Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 8700 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 267 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 1000 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 24A (Tc)
基本製品番号 IXFN24

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データシート