IXFN24N100
工場モデル | IXFN24N100 |
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メーカー | IXYS |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B |
パッケージ | SOT-227B |
株式 | 2173 pcs |
データシート | Mult Devices OBS 24/Feb/2014IXFN24N100 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
10 |
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$16.657 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 5.5V @ 8mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B |
シリーズ | HiPerFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 390mOhm @ 12A, 10V |
電力消費(最大) | 568W (Tc) |
パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Chassis Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 8700 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 267 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1000 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 24A (Tc) |
基本製品番号 | IXFN24 |
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