IXFN32N120
| 工場モデル | IXFN32N120 |
|---|---|
| メーカー | IXYS |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B |
| パッケージ | SOT-227B |
| 株式 | 3174 pcs |
| データシート | Mult Devices OBS 24/Feb/2014IXFN32N120 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 10 |
|---|
| $14.591 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 8mA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B |
| シリーズ | HiPerFET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 350mOhm @ 500mA, 10V |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC |
| パッケージ | Box |
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 15900 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 400 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 32A |
| 基本製品番号 | IXFN32 |
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