IXFN180N25T
工場モデル | IXFN180N25T |
---|---|
メーカー | IXYS |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B |
パッケージ | SOT-227B |
株式 | 6000 pcs |
データシート | IXFN180N25T |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$9.17 | $8.458 | $7.222 | $6.724 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのIXYSシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6000のIXYS IXFN180N25Tの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 8mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B |
シリーズ | HiPerFET™, Trench |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 12.9mOhm @ 60A, 10V |
電力消費(最大) | 900W (Tc) |
パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Chassis Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 28000 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 345 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 250 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 168A (Tc) |
基本製品番号 | IXFN180 |
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