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IV1Q12160T4

工場モデル IV1Q12160T4
メーカー Inventchip
詳細な説明 SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
パッケージ TO-247-4
株式 6231 pcs
データシート IV1Q12160T4
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500
$7.6 $6.986 $5.9 $5.248
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInventchipシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6231のInventchip IV1Q12160T4の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.9V @ 1.9mA
Vgs（最大） +20V, -5V
技術 SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-247-4
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 195mOhm @ 10A, 20V
電力消費（最大） 138W (Tc)
パッケージ/ケース TO-247-4
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 885 pF @ 800 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 43 nC @ 20 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 20V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 1200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 20A (Tc)

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データシート

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