IV1D06006P3
工場モデル | IV1D06006P3 |
---|---|
メーカー | Inventchip |
詳細な説明 | DIODE SIC 650V 16.7A TO252-3 |
パッケージ | TO-252-3 |
株式 | 37093 pcs |
データシート | IV1D06006P3 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$1.716 | $1.541 | $1.263 | $1.075 | $0.943 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.65 V @ 6 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 650 V |
技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-252-3 |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
シリーズ | - |
逆回復時間(trrの) | 0 ns |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
装着タイプ | Surface Mount |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 650 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 16.7A |
Vrと、F @キャパシタンス | 224pF @ 1V, 1MHz |
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