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IV1D12010O2

工場モデル IV1D12010O2
メーカー Inventchip
詳細な説明 DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO220-2
パッケージ TO-220-2
株式 17976 pcs
データシート IV1D12010O2
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$4.134 $3.735 $3.092 $2.693 $2.53
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInventchipシリーズの電子コンポーネントを専門としています。17976のInventchip IV1D12010O2の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1.8 V @ 10 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 1200 V
技術 SiC (Silicon Carbide) Schottky
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-2
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ -
逆回復時間（trrの） 0 ns
製品属性 属性値
パッケージ/ケース TO-220-2
パッケージ Tube
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 175°C
装着タイプ Through Hole
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 50 µA @ 1200 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 28A
Vrと、F @キャパシタンス 575pF @ 1V, 1MHz

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