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Goford Semiconductor

GT105N10F

工場モデル GT105N10F
メーカー Goford Semiconductor
詳細な説明 N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<
パッケージ TO-220F
株式 332145 pcs
データシート GT105N10F
提案された価格 （米ドルでの測定）
3000 9000 15000 30000 51000
$0.155 $0.149 $0.143 $0.129 $0.119
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGoford Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。332145のGoford Semiconductor GT105N10Fの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220F
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 10.5mOhm @ 11A, 10V
電力消費（最大） 20.8W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 54 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 25A (Tc)

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データシート

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