GT1003D
工場モデル | GT1003D |
---|---|
メーカー | Goford Semiconductor |
詳細な説明 | N100V,RD(MAX)<130M@10V,RD(MAX)<1 |
パッケージ | SOT-23-3L |
株式 | 2222638 pcs |
データシート | GT1003D |
提案された価格 (米ドルでの測定)
3000 | 15000 | 30000 | 51000 |
---|---|---|---|
$0.02 | $0.018 | $0.017 | $0.015 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGoford Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。2222638のGoford Semiconductor GT1003Dの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.6V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3L |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 130mOhm @ 3A, 10V |
電力消費(最大) | 2W |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 212 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 5.2 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3A |
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