GT100N12M
| 工場モデル | GT100N12M |
|---|---|
| メーカー | Goford Semiconductor |
| 詳細な説明 | N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3. |
| パッケージ | TO-263 |
| 株式 | 4989 pcs |
| データシート | GT100N12M |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10mOhm @ 35A, 10V |
| 電力消費（最大） | 120W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3050 pF @ 60 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 120 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 70A (Tc) |
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