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NXP USA Inc.

PSMN8R0-30YLC115

工場モデル PSMN8R0-30YLC115
メーカー NXP USA Inc.
詳細な説明 N-CHANNEL POWER MOSFET
パッケージ LFPAK56, Power-SO8
株式 5794 pcs
データシート Datasheet
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNXP USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。5794のNXP USA Inc. PSMN8R0-30YLC115の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1.95V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ LFPAK56, Power-SO8
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 7.9mOhm @ 15A, 10V
電力消費（最大） 42W (Tc)
パッケージ/ケース SC-100, SOT-669
パッケージ Bulk
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 848 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 15 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 54A (Tc)

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データシート

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