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PSMN7R8-120ESQ Image
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PSMN7R8-120ESQ

工場モデル PSMN7R8-120ESQ
メーカー Nexperia USA Inc.
詳細な説明 MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
パッケージ I2PAK
株式 6787 pcs
データシート PSMN7R8-120ESQLabel Chg 12/Mar/2017Mult Dev 31/Dec/2019All Dev Label Chgs 2/Aug/2020
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNexperia USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。6787のNexperia USA Inc. PSMN7R8-120ESQの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ I2PAK
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 7.9mOhm @ 25A, 10V
電力消費（最大） 349W (Tc)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 9473 pF @ 60 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 167 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 120 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 70A (Tc)
基本製品番号 PSMN7R8

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データシート

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