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PSMN8R5-108ESQ Image
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製品の詳細仕様を参照してください。

PSMN8R5-108ESQ

工場モデル PSMN8R5-108ESQ
メーカー NXP Semiconductors / Freescale
詳細な説明 MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
パッケージ I2PAK
株式 4221 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNXP Semiconductors / Freescaleシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4221のNXP Semiconductors / Freescale PSMN8R5-108ESQの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ I2PAK
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 8.5 mOhm @ 25A, 10V
電力消費（最大） 263W (Tc)
パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
他の名前 568-11432-5
934068134127
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 5512pF @ 50V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 111nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 108V
詳細な説明 N-Channel 108V 100A (Tj) 263W (Tc) Through Hole I2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 100A (Tj)

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