FDP2D3N10C
工場モデル | FDP2D3N10C |
---|---|
メーカー | Fairchild Semiconductor |
詳細な説明 | N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE |
パッケージ | TO-220-3 |
株式 | 4155 pcs |
データシート | FDP2D3N10C, FDPF2D3N10C |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 700µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 |
シリーズ | PowerTrench® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.3mOhm @ 100A, 10V |
電力消費(最大) | 214W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Bulk |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 11180 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 152 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 222A (Tc) |
基本製品番号 | FDP2D3 |
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