FDP4D5N10C
工場モデル | FDP4D5N10C |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3 |
パッケージ | TO-220-3 |
株式 | 30022 pcs |
データシート | onsemi REACHonsemi RoHSMult Dev A/T 17/Jun/2021FDP4D5N10C, FDPF4D5N10C |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$2.239 | $2.012 | $1.648 | $1.403 | $1.183 | $1.124 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。30022のonsemi FDP4D5N10Cの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 310µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 |
シリーズ | PowerTrench® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.5mOhm @ 100A, 10V |
電力消費(最大) | 2.4W (Ta), 150W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5065 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 68 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 128A (Tc) |
基本製品番号 | FDP4D5 |
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