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FDP2D3N10C

工場モデル FDP2D3N10C
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
パッケージ TO-220-3
株式 37968 pcs
データシート Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi REACHonsemi RoHSMult Dev A/T 17/Jun/2021FDP2D3N10C, FDPF2D3N10C
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000 2000
$2.301 $2.08 $1.722 $1.499 $1.306 $1.257
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。37968のonsemi FDP2D3N10Cの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 700µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
シリーズ PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 2.3mOhm @ 100A, 10V
電力消費(最大) 214W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 11180 pF @ 50 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 152 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 222A (Tc)
基本製品番号 FDP2D3

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FDP2D3N10C データテーブルPDF

データシート