FDB12N50TM
| 工場モデル | FDB12N50TM |
|---|---|
| メーカー | Fairchild Semiconductor |
| 詳細な説明 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
| パッケージ | D2PAK (TO-263) |
| 株式 | 5585 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのFairchild Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5585のFairchild Semiconductor FDB12N50TMの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
RFQメール：info@Components-House.net
規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK (TO-263) |
| シリーズ | UniFET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 650mOhm @ 6A, 10V |
| 電力消費（最大） | 165W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1315 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11.5A (Tc) |
おすすめ商品
-
FDB120N10
MOSFET N-CH 100V 74A D2PAKonsemi -
FDB12N50FTM-WS
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAKonsemi -
FDB088N08
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAKonsemi -
FDB088N08_F141
MOSFET N-CHANNEL 75V 120A D2PAKonsemi -
FDB14N30TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB14N30TM
MOSFET N-CH 300V 14A D2PAKonsemi -
FDB12N50UTM_WS
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAKonsemi -
FDB150N10
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5Fairchild Semiconductor -
FDB14AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263ABonsemi -
FDB110N15A
MOSFET N-CH 150V 92A D2PAKonsemi -
FDB110N15A
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9Fairchild Semiconductor -
FDB14AN06LA0-F085
MOSFET N-CH 60V 67A TO263ABonsemi -
FDB12N50UTM
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAKFairchild Semiconductor -
FDB12N50TM
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAKonsemi -
FDB120N10
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7Fairchild Semiconductor -
FDB14AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB12N50FTM
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAKFairchild Semiconductor -
FDB13AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6Fairchild Semiconductor -
FDB10AN06A0
MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO263ABonsemi -
FDB13AN06A0
MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAKonsemi