FDB1D7N10CL7
| 工場モデル | FDB1D7N10CL7 |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK |
| パッケージ | D2PAK (TO-263) |
| 株式 | 22491 pcs |
| データシート | onsemi REACHonsemi RoHSAssembly Change 09/May/2023FDB1D7N10CL7 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $2.836 | $2.56 | $2.12 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 700µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK (TO-263) |
| シリーズ | PowerTrench® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.65mOhm @ 100A, 15V |
| 電力消費（最大） | 250W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 11600 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 163 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 15V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 268A (Tc) |
| 基本製品番号 | FDB1D7 |
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