FDB060AN08A0
| 工場モデル | FDB060AN08A0 |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK |
| パッケージ | D²PAK (TO-263) |
| 株式 | 43202 pcs |
| データシート | FDB060AN08A0, FDP060AN08A0Description Chg 01/Apr/2016TO263 31/Aug/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi RoHSAssembly Change 09/May/2023 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $1.467 | $1.318 | $1.08 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。43202のonsemi FDB060AN08A0の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
RFQメール：info@Components-House.net
規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) |
| シリーズ | PowerTrench® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6mOhm @ 80A, 10V |
| 電力消費（最大） | 255W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5150 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 75 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16A (Ta), 80A (Tc) |
| 基本製品番号 | FDB060 |
おすすめ商品
-
FDB039N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO263Fairchild Semiconductor -
FDB039N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO263onsemi -
FDB047N10
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKonsemi -
FDB050AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB045AN08A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB082N15A
MOSFET N-CH 150V 117A D2PAKonsemi -
FDB075N15A-F085
MOSFET N-CH 150V 110A D2PAKonsemi -
FDB0630N1507L
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7onsemi -
FDB045AN08A0-F085
MOSFET N-CH 75V 19A TO263ABonsemi -
FDB035N10A
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKonsemi -
FDB070AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB075N15A
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAKonsemi -
FDB088N08
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8Fairchild Semiconductor -
FDB047N10
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB0690N1507L
MOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7onsemi -
FDB045AN08A0
MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAKonsemi -
FDB070AN06A0
MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAKonsemi -
FDB050AN06A0
MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAKonsemi -
FDB070AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 15A TO263ABonsemi -
FDB075N15A_SN00284
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAKonsemi