DMT6011LPDW-13
工場モデル | DMT6011LPDW-13 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 |
パッケージ | PowerDI5060-8 (Type UXD) |
株式 | 349971 pcs |
データシート | Diodes Environmental Compliance CertDMT6011LPDW |
提案された価格 (米ドルでの測定)
2500 | 5000 | 12500 | 25000 |
---|---|---|---|
$0.146 | $0.136 | $0.131 | $0.126 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerDI5060-8 (Type UXD) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 14mOhm @ 10A, 10V |
電力 - 最大 | 2.5W (Ta), 37.9W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1072pF @ 30V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 22.2nC @ 10V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 10.3A (Ta), 40A (Tc) |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | DMT6011 |
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