DMN3060LVT-13
工場モデル | DMN3060LVT-13 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 |
パッケージ | TSOT-23-6 |
株式 | 764349 pcs |
データシート | Diodes Environmental Compliance CertDMN3060LVT |
提案された価格 (米ドルでの測定)
10000 | 30000 | 50000 |
---|---|---|
$0.048 | $0.044 | $0.043 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.8V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TSOT-23-6 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 60mOhm @ 3.1A, 10V |
電力 - 最大 | 830mW |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 395pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 11.3nC @ 10V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.6A (Ta) |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | DMN3060 |
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