DMN3061SVTQ-7
工場モデル | DMN3061SVTQ-7 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R |
パッケージ | TSOT-26 |
株式 | 1795528 pcs |
データシート | DMN3061SVTQ |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 | 50000 |
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$0.165 | $0.125 | $0.078 | $0.053 | $0.041 | $0.037 | $0.035 | $0.032 | $0.027 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.8V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TSOT-26 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 60mOhm @ 3.1A, 10V |
電力 - 最大 | 880mW (Ta) |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
パッケージ | Bulk |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 278pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 6.6nC @ 10V |
FET特長 | Standard |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.4A (Ta) |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | DMN3061 |
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