DMN3033LSD-13
工場モデル | DMN3033LSD-13 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC |
パッケージ | 8-SO |
株式 | 376775 pcs |
データシート | DMN3033LSDMultiple Device Changes 29/Apr/2013Bond Wire 11/Nov/2011Diodes Environmental Compliance CertMult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.266 | $0.234 | $0.179 | $0.142 | $0.113 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.1V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 20mOhm @ 6.9A, 10V |
電力 - 最大 | 2W |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 725pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 13nC @ 10V |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6.9A |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | DMN3033 |
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