DMN26D0UFB4-7B

工場モデル	DMN26D0UFB4-7B
メーカー	Diodes Incorporated
詳細な説明	DIODE
パッケージ	X2-DFN1006-3
株式	4983 pcs
データシート

提案された価格（米ドルでの測定）

納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのDiodes Incorporatedシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4983のDiodes Incorporated DMN26D0UFB4-7Bの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性	属性値
同上@ VGS（TH）（最大）	900mV @ 250µA
Vgs（最大）	±10V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ	X2-DFN1006-3
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	3Ohm @ 100mA, 4.5V
電力消費（最大）	350mW (Ta)
パッケージ/ケース	3-XFDFN
運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)

製品属性	属性値
装着タイプ	Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	14.1 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	-
FETタイプ	N-Channel
FET特長	-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	1.5V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン	20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	240mA (Ta)