Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > DMN2451UFB4Q-7B
DMN2451UFB4Q-7B Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

DMN2451UFB4Q-7B

工場モデル DMN2451UFB4Q-7B
メーカー Diodes Incorporated
詳細な説明 MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
パッケージ X2-DFN1006-3
株式 2042577 pcs
データシート Diodes Environmental Compliance CertDMN2451UFB4Q
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000 2000 5000
$0.109 $0.088 $0.046 $0.031 $0.021 $0.019 $0.016
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのDiodes Incorporatedシリーズの電子コンポーネントを専門としています。2042577のDiodes Incorporated DMN2451UFB4Q-7Bの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 1V @ 250µA
Vgs(最大) ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ X2-DFN1006-3
シリーズ Automotive, AEC-Q101
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 400mOhm @ 600mA, 4.5V
電力消費(最大) 660mW (Ta)
パッケージ/ケース 3-XFDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 32 pF @ 16 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 6.4 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 1.8V, 4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.3A (Ta)
基本製品番号 DMN2451

おすすめ商品

DMN2451UFB4Q-7B データテーブルPDF

データシート