DMN26D0UFB4-7
| 工場モデル | DMN26D0UFB4-7 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN |
| パッケージ | X2-DFN1006-3 |
| 株式 | 4876 pcs |
| データシート | Subs 2-17-2023Mult Dev EOL 17/Feb/2022Bond Wire 11/Nov/2011DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015Mult Dev Assembly/Test Sit Add 1/Mar/2018Diodes Environmental Compliance CertDMN26D0UFB4 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.1V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | X2-DFN1006-3 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3Ohm @ 100mA, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 350mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | 3-XFDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 14.1 pF @ 15 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.5V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 230mA (Ta) |
| 基本製品番号 | DMN26 |
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