DMN1001UCA10-7
工場モデル | DMN1001UCA10-7 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-TSN1820- |
パッケージ | X2-TSN1820-10 |
株式 | 314809 pcs |
データシート | Diodes Environmental Compliance CertDMN1001UCA10 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
3000 | 6000 | 15000 | 30000 |
---|---|---|---|
$0.121 | $0.113 | $0.109 | $0.104 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.4V @ 870µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | X2-TSN1820-10 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3.55mOhm @ 5A, 4.5V |
電力 - 最大 | 1W |
パッケージ/ケース | 10-SMD, No Lead |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2865pF @ 6V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 29nC @ 4V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 12V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A (Ta) |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
基本製品番号 | DMN1001 |
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