DMN10H099SFG-13
| 工場モデル | DMN10H099SFG-13 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333 |
| パッケージ | PowerDI3333-8 |
| 株式 | 530618 pcs |
| データシート | DMN10H099SFGMult Dev A/T Site 31/Mar/2021Diodes Environmental Compliance Cert |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 3000 | 6000 | 15000 | 30000 |
|---|---|---|---|
| $0.097 | $0.09 | $0.087 | $0.084 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのDiodes Incorporatedシリーズの電子コンポーネントを専門としています。530618のDiodes Incorporated DMN10H099SFG-13の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
RFQメール：info@Components-House.net
規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerDI3333-8 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 80mOhm @ 3.3A, 10V |
| 電力消費（最大） | 980mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1172 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 25.2 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.2A (Ta) |
| 基本製品番号 | DMN10 |
おすすめ商品
-
DMN1023UCB4-7
MOSFET N CH 5.1A U-WLB1010-4Diodes Incorporated -
DMN1033UCB4-7
MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4Diodes Incorporated -
DMN1029UFDB-13
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFNDiodes Incorporated -
DMN1054UCB4-7
MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4Diodes Incorporated -
DMN1053UCP4-7
MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4Diodes Incorporated -
DMN1045UFR4-7
MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFNDiodes Incorporated -
DMN10H120SFG-13
MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMN10H170SFDE-13
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFNDiodes Incorporated -
DMN1019UVT-7
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26Diodes Incorporated -
DMN10H120SE-13
MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223Diodes Incorporated -
DMN10H170SFG-7
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMN1029UFDB-7
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFNDiodes Incorporated -
DMN10H120SFG-7
MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMN1032UCB4-7
MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4Diodes Incorporated -
DMN10H099SK3-13
MOSFET N-CH 100V 17A TO252Diodes Incorporated -
DMN10H099SFG-7
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMN10H170SFDE-7
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFNDiodes Incorporated -
DMN10H100SK3-13
MOSFET N-CH 100V 18A TO252Diodes Incorporated -
DMN1032UCP4-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-Diodes Incorporated -
DMN10H170SFG-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333Diodes Incorporated