DMN10H170SFGQ-7
工場モデル | DMN10H170SFGQ-7 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 |
パッケージ | PowerDI3333-8 |
株式 | 400647 pcs |
データシート | Diodes Environmental Compliance CertAdditional Assembly/Test Site 24/Aug/2021DMN10H170SFGQ |
提案された価格 (米ドルでの測定)
2000 | 6000 | 10000 |
---|---|---|
$0.11 | $0.103 | $0.099 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerDI3333-8 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 122mOhm @ 3.3A, 10V |
電力消費(最大) | 940mW (Ta) |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 870.7 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 14.9 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) |
基本製品番号 | DMN10 |
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