IRFTS9342TRPBF
工場モデル | IRFTS9342TRPBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP |
パッケージ | 6-TSOP |
株式 | 497079 pcs |
データシート | Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Packing Material Update 16/Sep/2016Mult Dev DC/Mark Chgs 20/Jul/2022IR Part Numbering SystemMosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.232 | $0.199 | $0.148 | $0.117 | $0.09 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.4V @ 25µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 40mOhm @ 5.8A, 10V |
電力消費(最大) | 2W (Ta) |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 595 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 12 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.8A (Ta) |
基本製品番号 | IRFTS9342 |
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